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QC快充协议芯片及其技术标准和设计原理详解

2021/9/4

手机对无线通信信号、CPU处理等方面的需求导致手机的功耗不断的提高,但是电池容量线性缓慢增长,能耗需求缺口逐渐扩大。电池技术一直无法突破,成为终端使用的最大瓶颈。电池容量增长缓慢,以每年约15%的速度线性增长,而能源消耗呈指数增长,能源消耗需求与电池性能之间的差距越来越明显。电池性能曲线将严重偏离能源消耗需求曲线。提高充电速度已成为解决电池寿命的关键,快速充电已成为市场竞争的热点。

常见QC快充协议芯片技术可分为两种:

高压快速充电:通过增加电源适配器的输出电压,提高终端充电功率和速率

低压快速充电:通过增加电源适配器的输出电流来增加终端充电功率和速率

国内移动电话发展迅速,并获得了发言权。随着华为、OPPO、维梧等国内手机厂商在全球的份额不断扩大,中国厂商的产业链整合能力将不断提升,在快速充电市场将占据主导地位。与高压快速充电方式相比,低压大电流在相同功率下可以实现更高的效率,充电器和手机的发热量更小,将占据市场主流。

目前,电池管理芯片主要由德州仪器公司(TI)和飞兆半导体公司(Fairchild semiconductor)生产。此外,Dialog semiconductor的QualcommQuickCharge3。0(QC3.0)芯片组,PI高通公司的QC3。0识别协议芯片CHY103D,汉能还推出了智能手机快速充电芯片HE4120,xidimicro还推出了快速充电芯片HL7005应用解决方案。

1.TI(德州仪器)BQ25895QC快速充电协议芯片

2.FairchildFAN501A和FAN6100Q

对话半导体QC3。0芯片组

4、电源集成SCHY103D

5、汉能HE41201QC快速充电协议芯片